每一次材料革命，都在重塑電子產(chǎn)業(yè)的未來(lái)。傳統(tǒng)MLCC的物理極限，正成為高端電子設(shè)備的性能瓶頸。01.硅電容：被動(dòng)電子元件的革命性突破硅電容(SiliconCapacitor)采用單晶硅襯底，通過(guò)深槽刻蝕技術(shù)在硅晶圓上構(gòu)建三維微結(jié)構(gòu)，再通過(guò)一系列薄膜沉積與刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)高純度電介質(zhì)層。這種融合半導(dǎo)體制造工藝的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，使電容性能獲得了質(zhì)的飛躍：·卓越的容值穩(wěn)定性：包括溫度、偏壓和老化特性引起的容值漂移