今天，英特爾發(fā)布包含 12 個硅自旋量子比特（silicon spin qubit）的全新量子芯片 Tunnel Falls，繼續(xù)探索量子實用性，以解決重大難題。Tunnel Falls 是英特爾迄今為止研發(fā)的最先進的硅自旋量子比特芯片，利用了英特爾數(shù)十年來積累的晶體管設計和制造能力。
在英特爾的晶圓廠里，Tunnel Falls 是在 300 毫米的硅晶圓上生產(chǎn)的，利用了英特爾領先的晶體管工業(yè)化制造能力，如極紫外光刻技術（EUV），以及柵極和接觸層加工技術。在硅自旋量子比特中，信息（0/1）被編碼在單個電子的自旋（上/下）中。硅自旋量子比特本質(zhì)上是一個單電子晶體管，因此英特爾能夠采用與標準 CMOS（互補金屬氧化物半導體）邏輯生產(chǎn)線類似的流程制造它。
放在手指上的Tunnel Falls芯片（圖片來源：英特爾公司）
封裝起來的Tunnel Falls芯片（圖片來源：英特爾公司）
放大后的Tunnel Falls芯片（圖片來源：英特爾公司）
示意圖：量子點柵極下的電子（圖片來源：英特爾公司）
英特爾認為，硅自旋量子比特比其他量子比特技術更有優(yōu)勢，因其可以利用先進晶體管類似的生產(chǎn)技術。硅自旋量子比特的大小與一個晶體管相似，約為 50 x 50 納米，比其它類型的量子比特小 100 萬倍，并有望更快實現(xiàn)量產(chǎn)。《自然·電子學》期刊上的一篇論文表示，“硅可能是最有機會實現(xiàn)大規(guī)模量子計算的平臺”。
同時，利用先進的 CMOS 生產(chǎn)線，英特爾可以通過其創(chuàng)新的制程控制技術提高良率和性能。Tunnel Falls 的良率達到了 95%，實現(xiàn)了與 CMOS 邏輯制程接近的電壓均勻性（voltage uniformity）。此外，英特爾可在每塊晶圓上實現(xiàn)超過 24000 個量子點。Tunnel Falls 能夠形成可被相互隔離或同時操控的 4 到 12 個量子比特。
接下來，英特爾將繼續(xù)致力于提高 Tunnel Falls 的性能，并將其和英特爾量子軟件開發(fā)工具包（SDK）整合在一起，集成到英特爾的量子計算堆棧中。此外，基于制造 Tunnel Falls 的經(jīng)驗，英特爾已經(jīng)開始研發(fā)下一代量子芯片，預計將于 2024 年推出。
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